分享：單片機EMC設計的幾點建議
可編程的輸出口的驅動器的最簡單是的并聯的一對驅動器，他們的MOS的Rdson不能，能輸出的電流能力也不
。我們在測試和
使用的時候可以選擇不同的模式。上目前的單片機
至少有兩種模式可選擇，有些甚至可以有三種（強，中等，弱）當時序約束有足夠的余量的時候，通過降低輸出能力來減緩內部時鐘驅動的邊沿。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
減少同步開關的峰值電流，和di/dt，一個重要的考慮因素
降低內部時鐘驅動的能力（其實放大倍數，穿通電流與之相關型很大）。降低時鐘邊沿的電流，將顯著改善EMI。當然這樣做的缺點，
時鐘和負載的開通時間的變長使得單片機的平均電流
。快速邊沿和
較高的峰值電流，時間更長邊沿較慢的電流脈沖這兩者
做一個妥協。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
溫馨提示：將鼠標指針放在圖片上，滾動鼠標可以動態改變圖片大小，方便分析電路圖。
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晶振的內部驅動（反向器）最好不要超過的
。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
問題，上前面也談過了，當增益過大的時候會帶來更大的干擾。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
設計最小穿通電流的驅動器時鐘，總線和輸出驅動器應盡使得傳統電流最小穿通電流【重疊電流，短路電流】，是從單片機在切換過程中，PMOS和NMOS
導通時候，電源到地線的電流，穿通電流直接影響了EMI和功耗。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
內容上是在單片機內部的，時鐘，總線和輸出驅動器，消除或減少穿通電流的方法是盡量先關閉一個FET，然后再開通一個FET。當電流較大時，額外的預驅動電路或電壓擺率。 <<版權聲明：本文由容源電子網（www_dziuu_com）整理提供，部分內容來源于網絡，如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。》
本文地址：http://www.gsdpw.cn/dz/22/2011118195355.shtml
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